Компания Samsung Electronics официально объявила о планах по началу массового выпуска первых 32Гб модулей памяти, построенных по нормам 30-нм техпроцесса.В модулях будут применяться 4Гб чипы DDR3 и DRAM. Модули специально разрабатываются для применения в высокопроизводительных системах, для производства облачных вычислений.
Ванхун Хонг (Исполнительный вице-президент компании по продажам и маркетингу) так прокомментировал это событие: «С началом производства 32 Гбайтных модулей памяти, компания подняла планку на рынке памяти DRAM для серверов, ПК и мобильных устройств»
Так же он поделился некоторыми планами компании. Так на второе полугодие запланировано значительное наращивание производства чипов DDR3 и DRAM, построенных по 20-нм техпроцессу, это должно положительно сказаться на быстро развивающемся рынке экологичных решений Green IT.
Микросхемы DDR3 (4Гбит) класса 30-нм, более чем на 50% производительнее, чем модули построенные на 40-нм техпроцессе. Регистровые модули новинок, функционируют на частоте 1866МГц, при этом номинальное напряжение составляет всего 1,35В, что на 40% эффективнее модулей построенных по 40-нм техпроцессу (частота 1333МГц при рабочем напряжении 1,5В)
Источник: samsung