Компания Samsung Electronics начала производить первые 64 гигабайтные чипы флэш-памяти NAND, новая технология многоуровневых ячеек памяти (MLC) использующая новый интерфейс Toggle DDR2. Данный интерфейс достигает скорости передачи данных в 400 Мбит/с. Новые микросхемы выпускаются на 20-нм техническом процессе, что позволяет снизить потребление энергии. Также новая технология позволяет достичь трехкратного увеличения пропускной способности, и десятикратного увеличения скорости передачи по сравнению с технологией SDR NAND (40 Мбит/с).По заявлению вице-президента отдела по продажам памяти и маркетингу Ванхун Хонг (Wanhoon Hong), компания Samsung предполагает, что данные чипы бут широко использоваться в смартфонах, плеерах, твердотельных накопителях нового поколения, а также мобильных устройствах. Также было отмечено, что в сравнении с чипами с интерфейсом Toggle DDR 1.0, новые чипы позволяют добиться 50% прироста производительности. По предварительным прогнозам, в конце 2012 года использование новых чипов на рынке достигнет 70%, увеличившись до этой отметки с текущих показателей равных 3%.
Источник: samsung